埃频（上海）仪器科技有限公司
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 腔体由无磁304不锈钢制成；配有三级超高真空泵组，真空度可达1e-10 mbar；可安装多台蒸发源，用以实现多源共蒸生长可用于生长II-VI、III-V, IV-IV族化合物、磁性材料，拓扑绝缘体等前沿材料。；能实现原子级平整薄膜的沉积，并配合RHEED监控精确控制沉积层数；样品架可实现150K~1500K大范围变温，可以原位观测样品的相变情况；易与其他超高真空设备互联，以实现原位表征；样品尺寸：10*10mm2旗形样品托(其他尺寸可定制)。
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| MBE系统 | |
分子束外延（MBE）是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，并在热力学作用下使分子或原子按晶体排列一层层地外延生长在衬底上形成薄膜。其主要优势如下：
（1）生长速率极慢，有利于对样品厚度、结构与成分进行实现精确调控；
（2）MBE是个物理沉积过程，能够生长一般方式无法生长的二维薄膜；
（3）MBE生长过程在超高真空中进行，因此在外延生长过程中基本没有污染的问题，有助于获得原子级平整的二维薄膜。
系统配有特制的变温样品台可以实现150K~1500K大范围变温，并切能够定制液氮降温功能，可以满足各种样品生长的需求（详见变温样品台）。腔体可以同时安装多个蒸发源（对准同一个生长位置）。由此可以实现多源共蒸生长，掺杂，甚至AB膜逐层生长。
| 腔体尺寸 |
200-400mm I.D. |
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本底真空 |
＜2×10-10mbar |
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泵组 |
干泵，分子泵，离子泵，钛升华泵 |
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衬底变温范围 |
150K-1500K |
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衬底加热方式 |
电子束加热、辐射加热、直流加热 |
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衬底降温方式 |
液氮导热 |
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适配衬底尺寸 |
10*10mm2（可接受非标定制） |
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烘烤温度 |
≤200℃ |
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蒸发源安装法兰 |
DN40CF或者DN63CF（不少于8个） |
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可选配蒸发源种类 |
各类热蒸发源，各类电子束蒸发源，离子源等 |
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实时监控 |
离子规，晶振，RHEED等 |
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样品传送 |
磁力杆 |
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快速进样室 |
分子泵，配有样品存储单元，可以存储6块样品 |
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控制软件 |
全自动生长控制软件 |
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我们可以按照客户需求，设计和制备各类常规或者特殊需求的分子束外延系统，同时提供从设备操作，工艺参数优化及日常维护等相关的一站式培训服务。 |