埃频（上海）仪器科技有限公司
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标准热蒸发源 |
标准热蒸发源尺寸图
分子束外延（MBE）是一种在晶体基片上外延生长高质量晶体薄膜的薄膜制备方法。由于成膜质量好，控制精度高，它已经被广泛的用于表面物理研究，半导体工艺，材料研究等方面。
标准热蒸发源是MBE设备中最常用的生长源炉，他通过辐射加热的原理加热放置在坩埚中的靶材，主要用于生长各种金属，半导体，有机物，化合物等。
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安装法兰 |
DN40CF（O.D.2.75'）/ DN63CF（O.D.4.5'） |
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真空中直径 |
35mm / 61mm |
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真空中长度 |
220mm（长度可定制） |
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温度范围 |
200~1350℃ |
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灯丝形式 |
标准灯丝，双灯丝①，热唇②，冷唇③ |
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烘烤温度 |
≤200℃（需要移除所有外部装置） |
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坩埚容积 |
10 cm3 |
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热偶型号 |
W
/ Re-Type C热电偶（可定制其他类型） |
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坩埚材质 |
P-BN / Al2O3 等 |
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挡板 |
手动（可定制成电动 / 气动） |
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水冷参数 |
流速：≥5 l/min；水压：≤ 5bar；水温：20~30℃ |
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工作气压 |
1e-11 mbar ~ 1e-5 mbar |
| ① | 双灯丝热蒸发源含有两套加热灯丝（分别安装与坩埚埚身与坩埚口），分别由不同的直流电源控制。这使得它能够控制坩埚口与坩埚埚身的温度，可以实现冷唇、热唇等多种沉积方式，适配各种不同性质的材料。 |
| ② | 冷唇热蒸发源是简化版的双灯丝热蒸发源，生长时坩埚口的温度略低于坩埚本身，主要用来生长Ⅲ族金属（特别是金属Al）。相比于双灯丝热蒸发源其主要优势是仅需一套直流电源即可工作，操作更加简便。 |
| ③ | 热唇热蒸发源是简化版的双灯丝热蒸发源，生长时坩埚口的温度略高于坩埚本身，主要用来生长Se，Bi等易在坩埚口冷凝的材料。相比于双灯丝热蒸发源其主要优势是仅需一套直流电源即可工作，操作更加简便。 |
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测试条件： |
* 其他非标蒸发源包括真空中长度，坩埚尺寸，安装法兰大小，挡板工作模式等均可定制。