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三温区裂解源



所有接触生长材料的部件均为PBN材质,可用于生长As、Se、Te、Sb等腐蚀性材料

裂解区温度最高1300℃
坩埚容量130CC,材质为PBN
集成水冷

集成手动挡板


  三温区裂解源是一款专为分子束外延(MBE)系统及小型样品制备室设计的创新型蒸发源,适用于As、Se、Te、Mg等高蒸汽压材料。其核心在于将低温渗出单元与高温裂解单元通过整体水冷罩无缝连接,实现了紧凑的结构布局。
  该裂解源采用DN40CF接口,在节省空间的同时提供130cc坩埚,便于填充大容量原料。通过坩埚和裂解区之间的高效隔热设计,三温区裂解源实现了坩埚与裂解区之间最大超过1000K的温差且有效抑制热串扰,便于匹配不同材料的最佳生长条件。此外,集成式水冷设计显著降低对腔体的热负载,使其成为小型样品制备系统的理想选择。

    

三温区裂解源示意图



            

 

三温区裂解源结构示意图                                                                                     三温区裂解源尺寸示意图


              

三温区裂解源极限温度测试                                                                             三温区裂解源极限温差测试

 



安装法兰

DN40CF

真空中直径

直径35mm

真空中长度

长度220mm
(不含挡板,其他尺寸可定制)

生长口大小

10mm

灯丝材质

Ta

测温形式

裂解区&导流管:C型热偶
坩埚:K型热偶

工作温度

坩埚:100-650℃
导流管:200-750℃
裂解区:300-1300℃

坩埚容量

130CC(其他尺寸可定制)

水冷要求

坩埚与裂解区集成水冷
流速≥5L/min
水压≤5bar
水温15-30℃

工作真空

超高真空兼容

建议选配电源型号

坩埚: PS600-60-10-k
导流管: PS600-60-10-c
裂解区: PS600-40-15-c


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