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标准热蒸发源

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工作温度:300~1350℃;
可以升级程控挡板以实现多种生长方式;
高真空兼容
温度和束流稳定性高,配合程控电源可以精确调节生长速率;
集成一体化水冷罩和挡板;

 

                     标准热蒸发源 

 


 

 

 

 标准热蒸发源尺寸图

 


       分子束外延(MBE)是一种在晶体基片上外延生长高质量晶体薄膜的薄膜制备方法。由于成膜质量好,控制精度高,它已经被广泛的用于表面物理研究,半导体工艺,材料研究等方面。

       标准热蒸发源是MBE设备中最常用的生长源炉,他通过辐射加热的原理加热放置在坩埚中的靶材,主要用于生长各种金属,半导体,有机物,化合物等。



 

  

  

双灯丝热蒸发源含有两套加热灯丝(分别安装与坩埚埚身与坩埚口),分别由不同的直流电源控制。这使得它能够控制坩埚口与坩埚埚身的温度,可以实现冷唇、热唇等多种沉积方式,适配各种不同性质的材料。
冷唇热蒸发源是简化版的双灯丝热蒸发源,生长时坩埚口的温度略低于坩埚本身,主要用来生长Ⅲ族金属(特别是金属Al)。相比于双灯丝热蒸发源其主要优势是仅需一套直流电源即可工作,操作更加简便。
热唇热蒸发源是简化版的双灯丝热蒸发源,生长时坩埚口的温度略高于坩埚本身,主要用来生长Se,Bi等易在坩埚口冷凝的材料。相比于双灯丝热蒸发源其主要优势是仅需一套直流电源即可工作,操作更加简便。

 

 

  

测试条件:
    蒸发源中无坩埚
    发源挡板关闭
    冷却水温度18℃
    室温约18℃
                                                                                        

* 其他非标蒸发源包括真空中长度,坩埚尺寸,安装法兰大小,挡板工作模式等均可定制。

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